三星電子近日天宣布，已開始量產(chǎn)業(yè)界最小的基于極紫外 (EUV) 技術(shù)的14納米DRAM。繼去年3月三星率先公布業(yè)界首款 EUV DRAM 后，三星已將 EUV
三星電子近日天宣布，已開始量產(chǎn)業(yè)界最小的基于極紫外 (EUV) 技術(shù)的14納米DRAM。繼去年3月三星率先公布業(yè)界首款 EUV DRAM 后，三星已將 EUV 層數(shù)增加到5層，以為其DDR5解決方案提供當今最好、最先進的 DRAM 工藝。
三星電子高級副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負責人 Jooyoung Lee 表示:“通過開拓關(guān)鍵的圖案化技術(shù)創(chuàng)新，我們在近三年的時間里一直引領著 DRAM 市場。“今天，三星正在通過多層 EUV 設定另一個技術(shù)里程碑，該技術(shù)實現(xiàn)了14納米的極端小型化——這是傳統(tǒng)氟化氬 (ArF) 工藝無法實現(xiàn)的壯舉。在這一進步的基礎上，我們將通過充分滿足5G、AI 和 Metaverse 的數(shù)據(jù)驅(qū)動世界中對更高性能和容量的需求，繼續(xù)提供最具差異化的內(nèi)存解決方案。”
隨著 DRAM 繼續(xù)縮小到10納米范圍，EUV 技術(shù)對于提高圖案精度以實現(xiàn)更高性能和更高產(chǎn)量變得越來越重要。通過在其14納米 DRAM 中應用五個 EUV 層，三星實現(xiàn)了最高位密度，同時將整體晶圓生產(chǎn)率提高了約20%。此外，與上一代 DRAM 節(jié)點相比，14nm 工藝有助于將功耗降低近20%。
三星表示，14納米 DRAM 將有助于解鎖高達7.2吉比特每秒 (Gbps) 的前所未有的速度，這是高達3.2Gbps 的 DDR4速度的兩倍多。
三星計劃擴展其14納米 DDR5產(chǎn)品組合，以支持數(shù)據(jù)中心、超級計算機和企業(yè)服務器應用。此外，三星預計將其14納米 DRAM 芯片密度增加到24Gb，以更好地滿足全球 IT 系統(tǒng)快速增長的數(shù)據(jù)需求。
