5G基站的建設(shè)采取大規(guī)模多天線(xiàn)技術(shù)(Massive MIMO)并要求高頻寬帶高效率，由此功放芯片等元器件性能的提升面臨更大的挑戰(zhàn)。近期，36氪了解到

5G基站的建設(shè)采取大規(guī)模多天線(xiàn)技術(shù)(Massive MIMO)并要求高頻寬帶高效率，由此功放芯片等元器件性能的提升面臨更大的挑戰(zhàn)。

近期，36氪了解到一家專(zhuān)注高性能射頻氮化鎵 (GaN) 功率放大器芯片的 IC 設(shè)計(jì)公司——優(yōu)鎵科技(北京)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)「優(yōu)鎵科技」)，公司創(chuàng)立于2019年10月，屬于比較典型的由學(xué)校知識(shí)成果轉(zhuǎn)化而來(lái)的項(xiàng)目，創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)成員均來(lái)自于清華大學(xué)電子工程系，目前剛完成第一代樣片的設(shè)計(jì)和流片，正處于測(cè)試、送樣階段。

「優(yōu)鎵科技」曾于2019年10月獲得了過(guò)千萬(wàn)元天使輪融資，由英諾天使領(lǐng)投，常見(jiàn)投資、騰飛資本、清華DNA基金跟投。

針對(duì) 5G 基站建設(shè)提出的新要求，GaN 相比于其他方案的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下方面：1)小型化，GaN 在功率密度上的優(yōu)勢(shì)使得芯片體積大量縮小，對(duì)于整機(jī)系統(tǒng)的尺寸有巨大改進(jìn);2)高效率、高頻率，GaN 可以工作在更高的頻率，提供更寬的信號(hào)帶寬，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)能耗，據(jù)公司介紹，5G 基站 AAU 實(shí)測(cè)中 PA(射頻功放芯片)能耗開(kāi)銷(xiāo)占比可達(dá)44%，GaN 方案將在很大程度上降低基站能耗。

在小型化的基礎(chǔ)上達(dá)到其他性能點(diǎn)上的要求

在 GaN 功放芯片的設(shè)計(jì)方面，難點(diǎn)主要在于如何，比如如何散熱、保持更高的線(xiàn)性度、工作效率?！竷?yōu)鎵科技」CEO 黃飛告訴36氪，公司在成立不到一年時(shí)間里能夠推出第一代樣片，是因?yàn)楹诵牡脑O(shè)計(jì)方法和原理驗(yàn)證經(jīng)過(guò)了學(xué)校實(shí)驗(yàn)室十余年的反復(fù)迭代和不斷驗(yàn)證，“公司這段時(shí)間主要工作是把相對(duì)來(lái)說(shuō)比較成熟的技術(shù)做產(chǎn)品化的設(shè)計(jì)”。 據(jù)介紹，未來(lái)公司將保持每季度一次迭代的速度，

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)方面，黃飛介紹，公司一方面優(yōu)勢(shì)在于做的是國(guó)內(nèi)自主可控、完全自主研發(fā)的功放產(chǎn)品，另一方面核心團(tuán)隊(duì)在寬帶 Doherty 功放電路架構(gòu)有十幾年經(jīng)驗(yàn)，樣片初測(cè)結(jié)果顯示，和國(guó)外主流的頭部器件廠商相比，第一代產(chǎn)品性能指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到同一水準(zhǔn)。下一步「優(yōu)鎵科技」將通過(guò)不斷迭代使得產(chǎn)品在性能指標(biāo)上更具有優(yōu)勢(shì)，達(dá)到設(shè)備商對(duì)于產(chǎn)品性能的需求。

目前的研發(fā)主要針對(duì)客戶(hù)的需求提供比較直接的解決方案。

盡管成立時(shí)間不長(zhǎng)，公司核心團(tuán)隊(duì)已經(jīng)進(jìn)行了十多年功率放大器的研究設(shè)計(jì)，未成立公司前，團(tuán)隊(duì)就與華為、中興、大唐等設(shè)備制造商有過(guò)緊密合作，部分核心關(guān)鍵技術(shù)已批量應(yīng)用，據(jù)黃飛介紹，由于客戶(hù)多集中于運(yùn)營(yíng)商以及頭部通信設(shè)備商，

面向市場(chǎng)靈活快速地響應(yīng)各方的新需求

生產(chǎn)模式上，「優(yōu)鎵科技」采取 fabless 輕資產(chǎn)模式，專(zhuān)注芯片電路設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售，將生產(chǎn)、測(cè)試以及封裝等環(huán)節(jié)外包。除了基礎(chǔ)設(shè)備投資上的權(quán)衡，另一部分還考慮到公司的靈活性，“5G建設(shè)早期這個(gè)階段，從運(yùn)營(yíng)商到設(shè)備商各個(gè)性能點(diǎn)還在不斷變化，這種模式能夠”。

未來(lái)量產(chǎn)方面，公司告訴36氪，有兩個(gè)核心的關(guān)鍵點(diǎn)，一是在已有的 fabless 生產(chǎn)模式上，如何保證產(chǎn)品發(fā)揮出最佳的性能，這對(duì)設(shè)計(jì)方法以及工藝的熟悉度要求比較高，公司的團(tuán)隊(duì)在這一點(diǎn)上已經(jīng)有了突出的技術(shù)實(shí)力和準(zhǔn)備;另一方面公司還在推進(jìn)量產(chǎn)階段產(chǎn)品一致性的控制，團(tuán)隊(duì)正加大投入并準(zhǔn)備擴(kuò)充相關(guān)人才的儲(chǔ)備。

基站應(yīng)用中， LDMOS 方案仍為目前主流方案。「優(yōu)鎵科技」認(rèn)為，在未來(lái)幾年內(nèi)，由于價(jià)格以及穩(wěn)定性的考慮，LDMOS 仍將占有一定比例的市場(chǎng)份額，然而隨著 GaN 方案性能優(yōu)勢(shì)的突出，價(jià)格的下探，性?xún)r(jià)比提高，GaN 將會(huì)逐步替代 LDMOS 方案。

傳統(tǒng)的基站功率放大器領(lǐng)域由飛思卡爾(Freescale)、恩智浦(NXP)、英飛凌(Infineon)壟斷，集中提供 LDMOS 方案。黃飛認(rèn)為國(guó)內(nèi) GaN 功放芯片的初創(chuàng)公司更多的機(jī)會(huì)在于豐富產(chǎn)業(yè)鏈，一方面為設(shè)備商提供差異化產(chǎn)品，另一方面也降低了設(shè)備商供應(yīng)鏈的風(fēng)險(xiǎn)，避免采購(gòu)過(guò)于集中。

目前國(guó)內(nèi)外設(shè)計(jì)和生產(chǎn)基站射頻PA的廠商(包括IDM、Foundry和Fabless)并不多。有代表性的 IDM 包括Qorvo、英飛凌、NXP、Cree、日本住友、ADI、MACOM，以及我國(guó)的蘇州能訊，有代表性的Foundry有穩(wěn)懋、GCS、三安光電、海特高新、歐洲的 UMS 以及被中國(guó)益豐電子收購(gòu)的OMMIC。

基于 GaN 材料設(shè)計(jì)芯片模組的解決方案

產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)策略方面，據(jù)黃飛介紹，一方面產(chǎn)品的性能指標(biāo)較多，「優(yōu)鎵科技」在寬帶以及線(xiàn)性度上的優(yōu)勢(shì)比較明顯，但差異性可能更多體現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)的思路上：公司側(cè)重，雖然如今市面上使用更多還是 LDMOS 和低集成度 GaN 器件方案，但是公司認(rèn)為廠商們還有更多的小型化需求，待模組方案達(dá)到落地標(biāo)準(zhǔn)，市場(chǎng)一定會(huì)被打開(kāi)。

團(tuán)隊(duì)成員方面，公司核心團(tuán)隊(duì)均來(lái)自清華大學(xué)電子工程系，CEO黃飛擁有該系本碩博背景，首席科學(xué)家陳文華教授系清華電子工程系長(zhǎng)聘教授，長(zhǎng)期專(zhuān)注于高效射頻功放與線(xiàn)性化技術(shù)研究。

根據(jù) Yole 的預(yù)測(cè)，GaN 射頻器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2024年成長(zhǎng)至20億美元，6年 CAGR 達(dá)到21%。主要的市場(chǎng)增長(zhǎng)來(lái)自無(wú)線(xiàn)通信基礎(chǔ)設(shè)施和軍工。5G的普及將推動(dòng) GaN 在無(wú)線(xiàn)通信的市場(chǎng)達(dá)到7.5億美元。在長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)劃上，黃飛表示公司比較關(guān)注技術(shù)本身所擅長(zhǎng)的一些應(yīng)用場(chǎng)景，如小基站、WiFi6 的企業(yè)網(wǎng)以及衛(wèi)星通訊地面設(shè)備等相關(guān)場(chǎng)景。

公司目前有融資需求，新一輪融資主要用來(lái)完成團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步擴(kuò)充和加大產(chǎn)品研發(fā)投入。

關(guān)鍵詞： 優(yōu)鎵科技